三星Galaxy S8最新消息：将采用UFS 2.1闪存存储技术

 12月27日消息，之前曝光了三星Galaxy S8手机的尺寸以及曲面屏设计。现在有了最新消息，三星Galaxy S8将使用其10nm技术生产8GB内存，内建256GB的内部存储空间，同时采用UFS 2.1闪存存储技术。

    据中国消息来看，三星Galaxy S8被认为是第一款采用高通骁龙Snapdragon 835处理器的智能手机。不过，高通要到明年4月份才能开始出货高通骁龙Snapdragon 835处理器。还将使用10nm技术生产8GB内存，内建256GB的内部存储空间，同时采用UFS 2.1闪存存储技术。UFS 2.1是UFS 2.0的更新版本，做了很多技术方面的改进。
 
    据报道传言，三星Galaxy S8标准版将采用5.1英寸曲面显示屏，三星Galaxy S8 Plus型号采用6英寸曲面Quad HD屏幕，分辨率为2560 x 1440。Galaxy S8继续采用单一后置摄像头，而不是双摄像头设计。

    最后，三星Galaxy S8将配备8GB内存UFS 2.1存储技术，系统（SoC）和UFS存储设备之间使用内联加密来提供数据安全性，具体何时发布，目前没有具体信息，拭目以待。