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DRAM的快速访问模式

发布时间:2008-11-21阅读:1606

  观察对DRAM单元的访问方式即可明白,在多路复用地址以及读操作之前必须进行预充电,以及利用读出放大器进行放大等,所以不太擅长随机访问。但是,在实际中的存储器访问中,持续访问连续的区域是很常见的,而且在安装了高速缓冲存储器的情况下,由于高速缓冲存储器与主存储器(一般以DRAM构成)之间的传输是以块为单位进行的传输。所以,完全的随机访间是罕见的,大多是连续的区域或某狭窄的区域被集中访问。因此,着重设计了在DRAM端可连续访问已确定区域的机制。
 
  以前访问模式具有页模式、静态列模式和半字节(nibble)模式这三种,之后页模式被随后出现的快速翻页模式(Fast PageMode)所取代,进而又被EDO模式(也称为超页模式,HyperPageMode)所取代一直到现在。期间,具有静态列模式及半字节模式的DRAM逐渐从市场上消失。
 
  这几种访问模式基本的思路类似。如果利用读操作进行说明,那么正如在DRAM的单元结构中所说明的那样,在DRAM读访问中,在选择了字线的时刻,在各个数据线上确定数据,该数据由列地址进行选择。因为在所有的数据线上都将一定出现数据,所以,与每次都要所以,与每次都要重新赋予行地址的操作相比,在此只要切换列地址,就可以进行快速的访问。只要能将来自主机地址中的高位分配给行地址,将低位分配给列地址,那么就可以进行连续区域的快速访问。

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