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DRAM的软错误

发布时间:2008-11-21阅读:1231

  如果为了提高DRAM的存储容量而提高集成度,那么当然要减少连接到FET的电容器的容量,所以用于存储的电荷量也将随之减少。随着容量的减少,数据的正确读取将变得困难,除此之外,还会存在由于α射线而破坏存储的问题。在射线中,α射线虽然是氦的原子核,但如果它飞人DRAM的电容器部分,则电荷将消减,存储将丢失,这称为软错误。为了防止即使是一页纸的α射线,需要注意封装所利用的材料中包含的放射线同位素中所放射出的α射线,而不必在意在封装状态下来白外界的α射线。
 
  一般来说,因为完全除去同位素是困难的,所以,为了降低软错误的概率,无论如何需要在DRAM单元上确保某种程度的容量。但是,即使那样也不能使软错误发生的概率为0。为此,在工作站级别以上的计算机中9使用大量的存储器元件,而且在可靠性要求较高的系统中,对DRAM进行FCC校验,使之具有即使发生软错误也会自动更正的机制。因为个人计算机等设备中不需要如此高的可靠性,所以大多都没有进行DRAM的出错校验。

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