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同步DRAM的读操作

发布时间:2008-11-21阅读:1465

  同步DRAM的读操作示例如图所示,所有操作都是以时钟的上升沿为基准进行的,与前面的状态迁移图结合相信会更容易明白。

   图 SDRAM的读操作

  (1)行地址与存储块编号的指定

  首先,因为同步DRAM处于IDLE状态,所以在此发出利用了RAS、CAS、WE及“信号的ACTV指令。同时分别赋予A0~A12、BA0/BA1行地址和存储块编号,据此激活所指定的存储块,移向ROW ACTIVE状态。此后如果等待tRCD时间,则可以接受下一指令。这个tRCD时间记录于数据手册中,HM5225165B的该时间为20ns,因此,如果以133MHz进行操作则需要3个时钟;如果以100MHz进行操作则需要2个时钟。

  (2)列地址的指定与读指令的发出

  与经过了tRCD时间后的时钟上升沿同步,提供READ指令、列地址以及要进行读操作的存储块编号。在读操作中,可以进行相当于模式寄存器所设定的突发长度的连续读操作。
 
  (3)CAS延迟时间
 
  发出READ指令后,经过模式寄存器所设定的CAS延迟时间(CL)的时钟周期后,将输出数据。图中表示了CAS延迟时间为3时的操作。
 
  (4)数据的提取
 
  经过CAS延迟时间后,模式寄存器所指定的突发长度(BL)的数据将连续输出,这样就可以提取数据。图中表示了BL=4时的操作。如果相当于突发长度的数据输出结束,则DRAM的输出缓冲器自动变为高阻抗状态。

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