型号US6X8TR参数

• Rohm Semiconductor
• NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR
• 剪切带（CT）: ￥4.61000,卷带（TR）: ￥1.64036
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• 晶体管类型: 2 NPN（双）
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）: 30V
• 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）: 350mV @ 25mA，500mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
• 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 270 @ 100mA，2V
• 功率 - 最大值: 400mW
• 频率 - 跃迁: 320MHz
• 工作温度: 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: 6-SMD，扁平引线
• 供应商器件封装: TUMT6