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型号:RN2901

描述:Toshiba America, Inc.

厂商:Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

PDF大小:453 K

页数:7 页

 型号RN2971FE(TE85L,F)参数

  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  • 系列: -
  • 产品状态: 停产
  • 晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
  • 电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧
  • 电阻器 - 发射极 (R2): -
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 @ 1mA,5V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值): 300mV @ 250μA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
  • 频率 - 跃迁: 200MHz
  • 功率 - 最大值: 100mW
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: SOT-563,SOT-666
  • 供应商器件封装: ES6

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