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RN2608
型号：RN2608
描述：Toshiba America, Inc.
厂商：Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
PDF大小：278 K
页数：6 页
型号RN262GT2R参数
- Rohm Semiconductor
- RF DIODE PIN 30V 100MW VMD2
- 系列: -
- 产品状态: 停产
- 二极管类型: PIN - 单
- 电压 - 峰值反向（最大值）: 30V
- 电流 - 最大值: 100 mA
- 不同?Vr、F 时电容: 0.4pF @ 1V，1MHz
- 不同?If、F 时电阻: 1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz
- 功率耗散（最大值）: 100 mW
- 工作温度: 150°C（TJ）
- 封装/外壳: SOD-723
- 供应商器件封装: VMD2
热门型号:
BZX84-C4V3 (4.3V)D38999/20WC98SN-LC144-02A12D38999/24WA98PN-LCECC-D3A331JGEECA-0JFQ122L770990-4B41456B9229M003CFM14W1.00K5RAT49LV001T-12JCSN74LVC1G125DCKRDS1E-SL-DC1.5VCBJ00100RAAH755169-AD38999/20WB35PAFCN13929_BARBARA-WW-PF-VERO13/18CXA3264TN-T41173-IC202AECA-1VFQ182SISP1160 DEMO BOARDVSP9437B-XZ-C3PAL8L14ACJS48168946780B4003TVJ1210A430JBCAT4XD38999/24WC98SN-LC5ST10MA1070000L/M2WD38999/20WE35PN
