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NSTB60BDW1T1

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型号:NSTB60BDW1T1

描述:ON Semiconductor

厂商:PNP General Purpose and NPN Bias Resistor Transistor Combination

PDF大小:83 K

页数:8 页

 型号NSTB60BDW1T1参数

  • onsemi
  • TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
  • 系列: -
  • 产品状态: 停产
  • 晶体管类型: 1 NPN 预偏压式,1 PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
  • 电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧
  • 电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 @ 5mA,10V / 120 @ 5mA,10V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值): 250mV @ 5mA,10mA / 500mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
  • 频率 - 跃迁: 140MHz
  • 功率 - 最大值: 250mW
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
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