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生产最新12nm芯片,三星逆势计划新增10台EUV光刻机

发布时间:2022-12-27

由于内存价格暴跌,美光、SK海力士两家内存厂商都已经大幅削减了投资,降低了产能,然而三星作为内存一哥不为所动,不仅不打算减产,甚至还在扩大投资,明年新增至少10台EUV光刻机,用于生产最新的12nm级内存芯片。

三星在韩国的内存工厂主要是位于平泽市的晶圆厂,其中P3晶圆厂目前的产能是每月2万片晶圆,三星已经计划扩大投资,增加内存生产设备,将产能提升到每月7万片晶圆。

在这些设备中,最重要的就是EUV光刻机了,三星从14nm级别的内存芯片开始引入EUV光刻机,EUV光刻机可以减少多重曝光工艺,提供工艺精度,从而可以减少生产时间、降低成本,并提高性能。

当然,上EUV工艺的代价也不是没有,EUV光刻机单价10亿元以上,产量也不如传统DUV光刻机,意味着初期成本会比较高。

按照三星的计划,2023年的P3晶圆厂将新增至少10台EUV光刻机,主要用于量产此前发布的12nm级DRAM内存芯片。

12月21日消息,三星宣布全球首发12nm工艺的DDR5内存,核心容量16Gb,并率先完成AMD平台兼容认证。

三星是全球第一大DRAM内存芯片公司,技术上也是最领先的之一,2021年率先推出了14nm DRAM芯片,用上了EUV工艺,这次的12nm DRAM内存芯片则是进一步的技术升级版。

除了EUV工艺之外,12nm DRAM内存还使用了高K材料及改善电路特性的专用设计技术,该内存具有业界最高的存储密度,而且晶圆生产效率提升了20%。

三星没有提及太多的技术细节,速度上可达7.2Gbps,号称1秒内可以处理2部30GB的UHD电影,功耗比以前的DRAM降低了23%。

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