2021年我国功率芯片行业相关政策汇总

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《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南（2011 年度）》

2011 年 6 月

国家发展和改革委员会、科学技术部、商务部、国家知识产权局

“13、新型元器件”之“高电压的金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）”，属于国家优先发展的高技术产业。

《国务院关于印发工业转型升级规划（2011—2015 年）的通知》

2012 年 1 月

国务院

结合国家科技重大专项和产业创新发展工程，着力发展集成电路设计业。支持高端微电子器件、光电子器件、绿色电池、功率器件、传感器件等产品及关键设备、材料的研发及产业化，推动传统元器件向智能化、微型化、绿色化方向发展。

《产业结构调整指导目录（2011 年本）（2013年修正）》

2013 年 2 月

国家发展和改革委员会

“二十八、信息产业”之“新型电子元器件

（片式元器件、频率元器件、混合集成电路、电力电子器件、光电子器件、敏感元器件及传感器、新型机电元件、高密度印刷电路板和柔性电路板等）制造”，属于国家鼓励类产业。

《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录（2016 版）》

2017 年 1 月

国家发展和改革委员会

进一步明确电力电子功率器件的地位和范围， 包括金属氧化物半导体场效应管（ MOSFET ）、绝缘栅双极晶体管芯片（IGBT）及模块、快恢复二极管（FRD）、垂直双扩散金属- 氧化物场效应晶体管（VDMOS）、可控硅（SCR）、5 英寸以上大功率晶闸管（GTO）、集成门极换流晶闸管（IGCT）、中小功率智能模块。