集成光电子学SOI光波导

　　集成光电子学无论在技术还是成本上都占有优势。对于III-V族化合物来说，硅材料和SOl（硅在绝缘体上）在基片处理成本，封装密度等方面均占有优势。微电子工艺的发展水平使得集成光学的工艺很容易实现。目前集成光学的特征尺寸一般为1～2 gm，最小也不过亚微米量级，而微电子目前65 nm的工艺已经开始了，这使得硅的制作工艺难度和成本均较其他材料占有优势。硅是制作无源光器件的最佳选择，但对有源器件来说，还任重而道远。硅发光目前效率还较低，但也不断的有惊喜出现，发光器件如英特尔的拉曼放大器，美国俄亥俄州立大学的混合集成硅激光器等；由于硅探测的光波长约为850 nm，所以它在近红外波段无法应用。但如果与其他硅器件集成，实现自发自收功能，便可以不受这方面的限制了，目前这方面的研究也如火如荼。硅基于热光效应和等离子色散效应的调制器件虽然在速率上与电场调制的器件无法相比，但也可以达到几十MHz，完全可以满足一般的应用场合。由于硅和氧化硅之间较大的相对折射率差，使得SOl可以做成小尺寸的光波导和光波导器件，非常适合于集成。