基于硅基双极型工艺的光电探测器

　　目前，长距离通信用的光接收器探测器都是用III-V族化合物材料制作的，其传输速率已经超过了40 Gb/s，然而，Ill-V族材料的光接收器和OEIC价格昂贵，对于短距离数据传输的应用，例如局域网、光纤入户和板级光互连等并不适合。随着信息技术的不断进步，对于光信息存储、光数据传输等应用，需要有大量低成本的光电集成电路（OEIC）投入使用。利用普通的硅基集成电路生产技术，在对这些工艺几乎不作改动或者是仅仅作微小调整的基础上，将光电子器件与电信号处理电路集成在一起，无疑是最为理想的光电集成方式。目前硅基集成电路技术主要可分为双极bipolar、CMOS及BiCMOS工艺。本节介绍利用双极工艺实现的硅基光电探测器，下节介绍CMOS和BiCMOS工艺实现的硅基光电探测器。在介绍完标准硅基集成电路工艺实现的光电探测器后，我们通过改变衬底浓度或是对标准工艺进行适当改正，以试图提高这些光电探测器的性能。