型号SIR770DP-T1-GE3参数

• Vishay Siliconix
• MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
• 剪切带（CT）: ￥9.45000,卷带（TR）: ￥4.30846
• 产品状态: 在售
• FET 类型: 2 N-通道（双）
• FET 功能: 逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）: 30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 21 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.8V @ 250μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 21nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 900pF @ 15V
• 功率 - 最大值: 17.8W
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: PowerPAK? SO-8 双
• 供应商器件封装: PowerPAK? SO-8 双