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APT10035JLL

型号:APT10035JLL

描述:Advanced Power Technology (APT)

厂商:Low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFET

PDF大小:66 K

页数:4 页

 型号APT18M100S参数

  • Microchip Technology
  • MOSFET N-CH 1000V 18A D3PAK
  • 管件: ¥84.25000
  • 产品状态: 在售
  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss): 1000 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 700 毫欧 @ 9A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): 150 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值): ±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4845 pF @ 25 V
  • FET 功能: -
  • 功率耗散(最大值): 625W(Tc)
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 供应商器件封装: D3PAK
  • 封装/外壳: TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
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