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型号:RN4988

描述:Toshiba America, Inc.

厂商:Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

PDF大小:217 K

页数:6 页

 型号RN49A2,LF(CT参数

  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
  • 剪切带(CT): ¥2.15000,卷带(TR): ¥0.37448
  • 系列: -
  • 产品状态: 在售
  • 晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
  • 电阻器 - 基极 (R1): 47 千欧
  • 电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 @ 10mA,5V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值): 300mV @ 250μA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值): 100μA(ICBO)
  • 频率 - 跃迁: 250MHz,200MHz
  • 功率 - 最大值: 200mW
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装: US6

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