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型号:RN2310

描述:Toshiba America, Inc.

厂商:Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Transistor

PDF大小:235 K

页数:5 页

 型号RN2318(TE85L,F)参数

  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
  • 卷带(TR): ¥0.37448
  • 系列: -
  • 产品状态: 在售
  • 晶体管类型: PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
  • 电阻器 - 基极 (R1): 47 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 50 @ 10mA,5V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值): 300mV @ 250μA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
  • 频率 - 跃迁: 200 MHz
  • 功率 - 最大值: 100 mW
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装: SC-70
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