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同质氧化反射镜

  近来,用横向湿法氧化工艺生长的A1.O,半导体结构DBR被用来实现低阈值、高效率的VCSEL。氧化物/半导体DBR的VCSEL结构方案也被提出。这种结构的DBR的特点是折射率差高、高反射率波段范围宽和反射相位变换平滑等。上述特点减小了光场在DBR中的渗透深度,这样也相应地减小了谐振腔的有效腔长,减少了谐振腔所产生的光模式,提高了激射效率。

  采用A1.Oy/GaAs的DBR有一个技术难点,就是在异质界面处Ga和0的键合力太小。

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