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UV-EPROM的单元结构

发布时间:2008-11-17 15:51:59阅读:1243

  UV EPROM的单元结构如图所示。其基本结构与在下一章中说明的闪速存储器相同。UV-EPROM的存储单元是由MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)构成的,在它的控制栅和N沟道间有一个称为浮置栅的特殊栅极,这是UV-EPROM单元结构的主要特征。  

 

  图 UV-EPROM的单元结构

  由于浮置栅利用氧化膜使栅极与基板绝缘,使存储于此处的电荷不能被轻易释放,从而达到持续保存记忆的目的。与闪速存储器相同,通过浮置栅中是否存储电荷,利用FET(场效应晶体管)的阈值电压的变化,进行高电平与低电平的判断。一般地讲,UV一EPROM在擦除状态(浮置栅中未存储电荷的状态)时,读出“高电平”;而在存储电荷状态时,读出“低电平”。

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