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IR推出沟道型HEXFET功率MOSFET系列

发布时间:2008-11-05 09:52:22阅读:1377

  国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布推出具有基准低通态电阻 (RDS (on)) 的沟道型HEXFET功率MOSFET系列。这些采用TO-247封装的MOSFET适用于同步整流、动态ORing及包括高功率DC马达、DC-AC转换器及电动工具等工业应用。

  新MOSFET的通态电阻 (RDS (on)) 能效比同类产品高出达50%,无需工业应用中通常使用的大型及昂贵封装,有助于节省总系统成本。此外,低RDS (on) 可降低导通损耗,并提升系统效率。

  IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“这个系列的卓越RDS (on) 额定值,可让设计人员避免使用大电流工业应用中,往往因散热需要的大而昂贵的ISOTOP或小型BLOC封装,使系统成本降低50%。”

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