1月13日消息,据媒体报道,长江存储计划今年把产量提高一倍,计划到下半年将每月的存储芯片产量提高到10万片晶圆,并准备试产192层NAND快闪记忆体晶片,最快将于2021年中试产,不过该试产计划可能会推迟至2021下半年。
市场一流供应商目前仍在开发176层3D NAND晶片,而当前可量产的最先进版本为128层NAND晶片。
此前4月13日,长江存储宣布其128层QLC 3D NAND闪存研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。这标志着国内3D NAND领域正式进入国际先进水平。
分类资讯
热点排行