IDM继续主导GaN时代 “国产化”的最大软肋？

 尽管产能和成本问题还悬而未决，但GaN如今已然引发了充电市场的迭代热潮。接下来，随着越来越多本土厂商的加入，这场战役的火药味也愈发浓郁。但值得一提的是，在第一代和第二代半导体市场均未能抢得先机的本土企业，又将如何在GaN这类第三代半导体市场争霸战中拔得头筹，也成为开启GaN国产化之门的关键密钥。

不过，相比国外大厂而言，国内在这个模式上还需要有所突破，这背后必然少不了各类整合性团队的共同协作，有业内人士分析到：“其实现阶段，国内在GaN领域有几个比较大的问题，第一个是产业化能力的问题，如果我们深入去看器件的设计固然重要，但如果脱离了第三代半导体的材料外延和特性，设计公司如果未掌握外延的技术，或者没有掌握整个驱动甚至是封装测试方面的技术，仅仅只是依靠单一的设计，公司其实是很难做大的。在中国，这类整合性的公司还是比较稀缺的。”

对此，查莹杰也颇为赞同，他表示：“其实在Fab和外延这块，实际上目前能够在GaN这类功率半导体领域完全走上大批量量产的并不多，可能也仅有TSMC和XFab在达拉斯的6寸厂，而且目前主要的产能都聚焦在6英寸，可供选择的也不多。不过，目前我们也能看到国内有一些厂商也在走8英寸的路线，如果8英寸的产品后续能够非常成功的被开发出来，而且在良率上可以有很明显的提升的话，实际上我们在外延这部分也就能占据先导的地位，当然这还是需要时间的积累和沉淀。”