IDM模式主导国产IGBT从“民用”向“车用”渗透

　目前，IDM模式是IGBT生产制造的主流趋势，也是最具竞争力的发展模式。日本的三菱、富士电机以及欧美的英飞凌、安森美(收购仙童)等都是IDM的发展模式。

　　记者了解到，从IGBT产品工艺来说，这种高压高功率的产品，要在应用层面把性价比做到最佳，一定是要依靠自有的生产工艺设备，有一些特别的设计和制造工艺，而Fabless企业，很难从芯片代工厂得到充足的资源来做多次的调试和优化工艺。

　　IGBT是举国之力发展的技术，那么国产IGBT会首先在哪个环节有突破性的进展?杭州士兰微电子器件产品产品线总经理张科锋认为，目前，政府对半导体产业的支持力度非常大，在未来的3-5年内，国内IGBT产品设计和工艺制造能力会得到大力提高。另外，随着家电、工业控制、新能源汽车和轨道交通等应用行业对国产IGBT使用比例的不断提高，将推进国内的IGBT封测厂家从生产规模上不断壮大，从封测技术水平上不断提升。

　　华虹宏力集成一部研发总监杨继业认为，在政策上，国家意志正推动半导体产业的崛起。作为轨道交通、绿色能源中关键的功率半导体器件，IGBT得益于政策支持将获得快速发展。目前，国产IGBT技术已经完成了一定的技术积累及市场耕耘工作，首先会在民用消费类及初步工业类市场有突破性的发展，然后进入到新能源汽车领域，毕竟，中国是最大的新能源汽车市场，国内厂商拥有得天独厚的优势。

　　正如杨继业所言，国内IGBT厂商优势独具。根据国务院印发的《节能与新能源汽车产业发展规划(2012-2020年)》，到2020年，我国纯电动车和插电式混合动力汽车生产能力要达到200万辆，累计销量超过500万辆。《电动汽车充电基础设施建设发展规划》提出，到2020年我国充电桩要达到450万个，充电站达到1.2万座。IGBT模块作为HEV/EV、充电桩的核心部件，存在巨大的市场空间。

　　目前，中国占据全球50%的IGBT市场规模，但90%的IGBT产品都要依赖进口，预计未来这个数据将发生怎样的变化?张科锋表示在国产IGBT芯片制造企业中看好株洲中车、华虹宏力和士兰微电子。

　　“株洲中车，因为其自身在轨道交通的巨大优势，毕竟会推进其IGBT产品工艺制造能力的提升和产品技术的升级;华虹宏力是目前国内主要的IGBT芯片代工企业，其8英寸生产线的IGBT工艺水平国内领先，其已开工建造12英寸生产线，势必在IGBT芯片代工业务上保持巨大优势;士兰微电子，作为国内领先的设计与制造一体的IDM企业，其IGBT产品完全拥有自有知识产权，在IGBT产品的设计能力、工艺技术水平、生产制造能力和国内应用数量上的占比都已处于国内领先位置，随着8英寸线的投产和12英寸生产线的建设，在IGBT产品的发展道路上必会大有可为。”张科锋说。

　　据记者了解，士兰微将继续加大IGBT产品方面的投入，一方面在8英寸和12英寸芯片生产线上，不断提升IGBT产品的工艺和设计水平，提升产品的品质和性能，同时也会在IGBT产品的模块封测业务上保持投入和发展，力争持续保持IGBT产品的业内领先优势。对于IGBT的封测企业，比亚迪、嘉兴斯达等有一定崛起的实力。其中深圳BYD在新能源车用IGBT产品方面与上海先进合作，依托自有的新能源车生产能力，在汽车级IGBT模块上会快速增长;嘉兴斯达在IGBT模块产品的封测业务上处于国内领头羊地位，同时其大力拓展新能源车用IGBT模块产品的生产规模，并在上海建设新的封测厂，继续保持国内的领先地位。

　　综观整个竞争格局，国外研发IGBT器件的公司主要有英飞凌、ABB、三菱、赛米控、日立、富士、东芝、IXYS和APT等公司，其IGBT技术成熟，涵盖了电压等级600V-6500V，电流等级2A-3600A的全部产品，形成了完善的IGBT产品系列。其中，赛米控、仙童等企业在1700V及以下电压等级的消费级IGBT领域处于优势地位;ABB、英飞凌、三菱电机在1700V-6500V电压等级的工业级IGBT领域占绝对优势，3300V以上电压等级的高压IGBT技术更是被英飞凌、ABB、三菱三家公司所垄断，它们代表着IGBT的国际最高水平。

　　相对而言，目前国内厂商IGBT的市占率不足1%，国内市场需求的IGBT等高端电力电子器件90%左右需要进口，但不可否认的是，中国占据着全球功率半导体的主要市场。相比国外厂商，国内厂商在服务响应客户需求、降低成本等方面具有很强的竞争优势，加上国家政策的支持和新兴应用市场的拉动，国产IGBT对国际IGBT品牌的替代已是大势所趋。相信未来在华虹宏力、士兰微电子及株洲中车等领先厂商的引领下，国产IGBT将完全实现自主生产并真正走向国际竞争!