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  • 三星、海力士研发EUV工艺的DRAM芯片,内存成本更低
    http://www.ic72.com 发布时间:2018-10-25 9:41:27
     
    与台积电在7nm节点抢先完成布局不同,三星在7nm节点要慢了一些,上周才宣布了7nm EUV工艺正式量产,很大一个原因就是三星在7nm节点上直接上了EUV光刻工艺,没有使用过渡工艺,这要比英特尔、台积电都激进得多。除了逻辑工艺升级到EUV工艺,三星在未来的1Ynm工艺的DRAM内存芯片生产上也在研究EUV工艺,而他们也不是唯一的一家,SK Hynix也被曝研发EUV工艺的DRAM芯片,只有美光在这方面比较保守。
      不论是处理器芯片还是存储芯片,现在的半导体生产几乎都离不开光刻机,上不上EUV光刻工艺主要是看需求及成本,逻辑芯片工艺对EUV工艺是最有需求的,7nm被公认为大量应用EUV工艺的节点,越往下就越依赖EUV工艺。
      DRAM内存对EUV工艺需求并不迫切,毕竟目前最先进的DRAM工艺依然在18nm以上,所以美光之前表态即使到了1α及1β工艺工艺节点,也没有必要使用EUV工艺。
    美光不用不代表其他DRAM厂商不用,三星对EUV工艺是最激进的,此前被爆在1Ynm节点就会尝试EUV光刻工艺,最快在2020年量产EUV工艺的1Ynm内存芯片。
    来自韩国媒体的消息,除了三星之外,SK Hynix在韩国利川市新建DRAM工厂,也在研发EUV工艺的DRAM内存芯片。
    使用EUV工艺的好处是可以提高光刻精度,减小线宽,降低内存单位容量成本,不过EUV工艺目前还不够成熟,产能不如普通的光刻机,这还需要时间改进。

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