Spansion调整NAND产品规划，推工业级e.MMC

    2012年，Spansion公司宣布其首个单层单元(SLC)系列NAND闪存产品开始出样，并同时公布了未来五年的技术规划图：包括将采用4x nm浮栅技术的1Gb到8Gb SLC NAND解决方案，在2012年底升级至3x nm浮栅技术，并在2014年升级至2x nm。

    两年过去了，Spansion日前的确又推出了新的NAND闪存产品。不过，此番推出的NAND产品并非是规划中宣称的20nm SLC NAND产品，而是面向消费、通信和工业设备市场的工业级e.MMC NAND闪存系列。

    Spansion NAND闪存产品营销及业务拓展总监Touhid Raza先生对此解释说，公司原本的计划的确是在2014年底推出第三代20nm SLC NAND产品，但出于商业上的考虑，Spansion取消了这一计划，将制程工艺重新调整为32nm，并会根据市场需要在该基础上继续推进。

    Spansion e.MMC S4041-1B1闪存采用高密度的MLC NAND，提供8GB和16GB存储密度，工作温度范围为-40度到+85度，可配置为多种模式。Touhid Raza强调称，新产品更多考虑到了嵌入式市场的需求特点，包括使用寿命长久，具备自我监测和汇报、突然掉电保护、存储器诊断工具包等功能。

    具体而言，该系列产品支持JEDEC e.MMC 4.51指令集以及现场固件升级、健康自我监测、自动后台运行等e.MMC 5.0功能；严格的突然掉电测试可确保在掉电发生时为数据提供最高等级的保护；而内置诊断、分析、配置和编程功能的存储器诊断工具，则能够简化配置和e.MMC的验证，帮助工程师缩短存储器验证周期。

    出于成本因素，NAND、SLC NAND和e.MMC有着不同的应用领域：存储密度1GB以下，NAND闪存更受青睐；1GB-16GB，用户通常选择SLC NAND；而16GB以上e.MMC则更为合适。Touhid Raza认为，相比SLC NAND产品，e.MMC在NAND闪存基础上增加了一个控制器，用以实现新增性能优化、坏块管理，以及磨损平衡等内存管理功能，最后再以JEDEC标准进行BGA封装，占用主机资源更少，易用性更强。另一方面，SLC NAND产品密度较低(≤2GB)，而e.MMC密度更高(≥4GB)，成本效益更高。且随着NAND技术的不断更新，SLC NAND接口需相应升级，而e.MMC方案却不需要对接口进行太多改变。

    8GB和16GB版本的S4041-1B1现已投入量产，封装选项包括153 BGA (0.5mm球间距)和100 BGA(1.0mm球间距)，温度范围选项包括-25到+85度，以及-40到+85度。未来，Spansion还将陆续推出4GB、32GB和64GB版本。